Dynamic sleep transistor and body bias for active leakage power control of microprocessors (0)

by J W Tschanz, S G Narendra, Y Ye, B A Bloechel, S Borkar, V De
Venue:INRIA Nancy – Grand Est : LORIA, Technopôle de Nancy-Brabois - Campus scientifique 615, rue du Jardin Botanique - BP 101 - 54602 Villers-lès-Nancy Cedex Centre de recherche INRIA Paris – Rocquencourt : Domaine de Voluceau - Rocquencourt - BP 105 - 78153 L